<p style="text-align: justify;">Институт геологии рудных месторождений, петрографии, минералогии и геохимии Российской академии наук (ИГЕМ РАН) предоставляет образовательные услуги, включающие в себя подготовку и аттестацию высококвалифицированных кадров в научных областях:</p>

Образование

<h2 style="text-align: justify;">Обучение в аспирантуре</h2>
<p style="text-align: justify;">Обучение в аспирантуре регламентируется Федеральной государственной образовательной системой (изменения), (для аспирантов, поступивших на обучение до 2021 года включительно), Федеральными государственными требованиями, а также &laquo;Порядком приема на обучение по образовательным программам высшего образования &ndash; программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре&raquo;. Обучение осуществляется на основании лицензии. Рособрнадзор выдал свидетельство о государственной аккредитации программ обучения.</p>
<p style="text-align: justify;">Руководство аспирантами осуществляется высококвалифицированными специалистами &ndash; академиками, членами-корреспондентами РАН, докторами наук, имеющими большой опыт педагогической работы. В процессе подготовки диссертации аспирант может пользоваться лабораторной базой Института.</p>
<h3 style="text-align: justify;">Памятка</h3>
<p style="text-align: justify;">Памятка абитуриенту, поступающему на целевое обучение по образовательным программам высшего образования на места в пределах целевой квоты.</p>
<hr>
<p style="text-align: justify;"><strong>Что такое целевое обучение?</strong></p>
<p style="text-align: justify;">Целевое обучение &ndash; это обучение в вузе по договору о целевом обучении с заказчиком целевого обучения.</p>
<p style="text-align: justify;">Если гражданин заключил такой договор, то:</p>
<ul style="text-align: justify;">
<li>заказчик обязан оказывать обучающемуся меры поддержки в период обучения и после окончания обучения трудоустроить его;</li>
<li>гражданин обязан освоить образовательную программу и отработать от 3 до 5 лет.</li>
</ul>
<hr>
<p style="text-align: justify;"><strong>Как поступить на места в пределах целевой квоты?</strong></p>
<p style="text-align: justify;">Поступление на места в пределах целевой квоты &ndash; это особый формат приема в вуз, который позволяет поступить на обучение по отдельному конкурсу.</p>
<p style="text-align: justify;">Гражданин должен изучить полный перечень предложений, которые будут опубликованы заказчиками до 10 июня в сети Интернет на Единой цифровой платформе в сфере занятости и трудовых отношений &laquo;Работа в России&raquo;, выбрать предложение, которое наиболее соответствует его пожеланиям, и подать заявку на заключение договора о целевом обучении в соответствии с этим предложением.</p>
<p style="text-align: justify;">По программам аспирантуры гражданин должен самостоятельно ознакомиться с предложениями заказчиков на Единой цифровой платформе в сфере занятости и трудовых отношений &laquo;Работа в России&raquo; и подать заявку на заключение договора о целевом обучении в вуз в сроки, установленные в этом вузе для приема заявлений о приеме на обучение.</p>

Приказ Минобрнауки России От 30.07.2014 №870 Об Утверждении Федерального Государственного Образовательного Стандарта Высшего Образования По Направлению Подготовки 05.06.01 Науки О Земле... 

Приказ Минобрнауки России От 30.04.2015 №464 О Внесении Изменений В Федеральные Государственные Образовательные Стандарты Высшего Образования... 

Приказ Минобрнауки России От 20.10.2021 №951 Об Утверждении Федеральных Государственных Требований К Структуре Программ Подготовки Научных И Научно Педагогических Кадров В Аспирантуре... 

Приказ Минобрнауки России От 06.08.2021 №721 Об Утверждении Порядка Приема На Обучение По Образовательным Программам Высшего Образования... 

Свидетельство О Государственной Аккредитации

Александра

Программы обучения

Информация о приеме в аспирантуру

Информационный материал о целевом обучении

Электронная информационно-образовательная среда ИГЕМ РАН

Аспирантура

Программа направлена на подготовку исследователей и преподавателей в области петрологии и вулканологии, изучения состава, строения и эволюции магматических систем, процессов формирования горных пород и минералов, а также современных методов их анализа.

Петрология, вулканология

Программа направлена на подготовку исследователей и преподавателей в области минералогии, кристаллографии и геохимии, изучения состава и структуры минералов, геохимических процессов и применения геохимических методов при поисках полезных ископаемых.

Минералогия, кристаллография. Геохимия, геохимические методы поисков полезных ископаемых

Программа готовит специалистов в области геологии и минерагении, ориентированных на изучение закономерностей формирования, поиски и разведку месторождений твердых полезных ископаемых, анализ рудных структур и оценку сырьевой базы минеральных ресурсов.

Геология, поиски и разведка твердых полезных ископаемых, минерагения

Программа направлена на подготовку исследователей в области геоинформатики и картографии, владеющих современными ГИС-технологиями, методами математической обработки геологических данных и цифрового моделирования для анализа и визуализации геологических процессов.

Геоинформатика, картография

Программа готовит специалистов в области геоэкологии, исследующих геохимические процессы в природных системах, оценку воздействия техногенных факторов, методы охраны геологической среды и безопасного обращения с радиоактивными и другими загрязняющими веществами.

Геоэкология

<h2>Образование осуществляется в соответствии с:</h2>
<ul>
<li>Федеральным законом от 29.12.2012 № 273-ФЗ &laquo;Об образовании в Российской Федерации&raquo;; постановлением Правительства Российской Федерации от 15.09.2020 № 1441 &laquo;Об утверждении Правил оказания платных образовательных услуг&raquo;;</li>
<li>приказом Минобрнауки России от 1.07.2013 № 499 &laquo;Об утверждении Порядка организации и осуществления образовательной деятельности по дополнительным профессиональным программам&raquo;;</li>
<li>приказом Минобрнауки России от 23.08.2017 № 816 &laquo;Об утверждении Порядка применения организациями, осуществляющими образовательную деятельность, электронного обучения, дистанционных образовательных технологий при реализации образовательных программ&raquo;;</li>
<li>приказом Минобрнауки России от 12.02.2019 № 6н &laquo;Об утверждении Порядка определения платы для физических и юридических лиц за услуги (работы), относящиеся к основным видам деятельности федеральных государственных бюджетных учреждений, находящихся в ведении Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, оказываемые ими сверх установленного государственного задания, а также в случаях, определённых федеральными законами, в пределах установленного государственного задания&raquo;;</li>
<li>уставом ИГЕМ РАН.</li>
</ul>
<p>Институт ведет образовательную деятельность на основании лицензии: серия 90Л01 №0000599 от 5.03.2013 г.</p>

<p style="text-align: left;">В ИГЕМ РАН реализуются следующие программы дополнительного профессионального образования, повышения квалификации:</p>

Лицензия (серия 90л01 № 0000599 От 5.03.2013 Г.)

Повышение квалификации

<p>Дополнительная профессиональная программа учебного курса повышения квалификации &laquo;Рентгеновская дифрактометрия&raquo; направлена на обучение основам рентгеновской дифракции и дифрактометрии, а также практическим навыкам работы на дифрактометрах.</p>
<h2>Цель обучения</h2>
<p>Обучить основам рентгеновской дифракции и дифрактометрии, а также практическим навыкам работы на дифрактометрах.</p>
<h2>Приобретаемые знания и умения</h2>
<p><strong>Знания:</strong></p>
<ul>
<li>теории взаимодействия рентгеновских лучей с веществом;</li>
<li>устройства дифрактометров и основных решаемых задач;</li>
<li>методик пробоподготовки и работы с различными типами образцов.</li>
</ul>
<p><strong>Умения:</strong></p>
<ul>
<li>выполнять основные текущие технологические операции при работе на дифрактометрах;</li>
<li>ставить условия проведения измерения для решения задач;</li>
<li>интерпретировать результаты и проводить обработку с использованием программного обеспечения;</li>
<li>проводить основные операции по обслуживанию дифрактометров.</li>
</ul>
<h2>Объем дисциплины и виды учебной работы</h2>
<p>Объем программы составляет 40 академических часов, из которых 36 часов составляют аудиторные учебные занятия (14 часов лекционного типа и 22 часа практического типа) и 4 часа итоговая аттестация.</p>
<h2>Содержание лекционного курса</h2>
<p><strong>Методы рентгеноструктурного анализа:</strong></p>
<ol>
<li>Рентгеновская техника. Источники рентгеновского излучения. Пути повышение удельной мощности трубок. Использование источников синхротронного излучения.</li>
<li>Детекторы (счетчики) рентгеновского излучения. Оптическая схема рентгеновского дифрактометра, юстировка.</li>
<li>Методы рентгеноструктурного анализа. Рентгеновская дифрактометрия.</li>
<li>Влияние фона на точность измерений в рентгеновской дифрактометрии. Основные характеристики профиля рентгеновской линии. Понятие о статистических ошибках счета. Влияние фона на точность измерения. Снижение уровня фона на дифрактограмме.</li>
<li>Основные сведения о рассеянии рентгеновских лучей кристаллами. Рассеяние идеальным (бездефектным) кристаллом. Рассеяние кристаллом с дефектами. Модель субструктуры.</li>
<li>Анализ субструктуры по интегральной ширине рентгеновских линий.</li>
<li>Рентгеновский качественный фазовый анализ Основные принципы качественного фазового анализа. Базы данных спектров фаз. Фазовый анализ с помощью программ PDXL. Основные проблемы при качественном фазовом анализе.</li>
<li>Рентгеновский количественный фазовый анализ. Метод градуировочного графика. Метод количественного анализа с использованием чистой фазы. Использование корундового числа для измерения абсолютной интенсивности. Использование кинематического эталона и расчет абсолютной интенсивности. Проведение количественного фазового анализа методом Ритвельда (метод подгонки спектра по программам PDXL). Систематические ошибки метода и их учет. Требования к подготовке образцов для фазового анализа.</li>
</ol>
<p><strong>Решение практических задач на рентгеновских дифрактометрах:</strong></p>
<ol>
<li>Получение дифракционного спектра от тонкой пленки или поверхностного слоя. Толщина анализируемого слоя. Аберрации при несимметричной съемке. Геометрия параллельного пучка.</li>
<li>Неразрушающее определение толщины тонких пленок (фольги) и покрытий на рентгеновском дифрактометре.</li>
<li>Методы прецизионного определение периода решетки.</li>
<li>Рентгеновский анализ макронапряжений.</li>
<li>Рентгеновский анализ кристаллографических текстур. Классификация текстур. Представление (описание) текстур. Построение полюсных фигур с помощью дифрактометра. Построение ОПФ. Представление текстуры с помощью ФРО.</li>
<li>Рефлектометрия.</li>
<li>Обслуживание растрового электронного микроскопа. Профилактические и регламентные работы.</li>
<li>Повседневный уход: юстировка.</li>
<li>Обслуживание: воды в системе охлаждения, обслуживание рентгеновской трубки.</li>
</ol>
<h2>Перечень тем практических занятий</h2>
<ol>
<li>Влияние фона на точность измерений в рентгеновской дифрактометрии. Основные характеристики профиля рентгеновской линии. Понятие о статистических ошибках счета. Влияние фона на точность измерения. Снижение уровня фона на дифрактограмме.</li>
<li>Анализ субструктуры по интегральной ширине рентгеновских линий.</li>
<li>Рентгеновский качественный фазовый анализ Основные принципы качественного фазового анализа. Базы данных спектров фаз. Фазовый анализ с помощью программ PDXL. Основные проблемы при качественном фазовом анализе.</li>
<li>Рентгеновский количественный фазовый анализ. Метод градуировочного графика. Метод количественного анализа с использованием чистой фазы. Использование корундового числа для измерения абсолютной интенсивности. Использование кинематического эталона и расчет абсолютной интенсивности. Проведение количественного фазового анализа методом Ритвельда (метод подгонки спектра по программам PDXL). Систематические ошибки метода и их учет. Требования к подготовке образцов для фазового анализа.</li>
<li>Получение дифракционного спектра от тонкой пленки или поверхностного слоя. Толщина анализируемого слоя. Аберрации при несимметричной съемке. Геометрия параллельного пучка.</li>
<li>Неразрушающее определение толщины тонких пленок (фольги) и покрытий на рентгеновском дифрактометре.</li>
<li>Методы прецизионного определение периода решетки.</li>
<li>Рентгеновский анализ макронапряжений.</li>
<li>Рентгеновский анализ кристаллографических текстур. Классификация текстур. Представление (описание) текстур. Построение полюсных фигур с помощью дифрактометра. Построение ОПФ. Представление текстуры с помощью ФРО.</li>
<li>Рефлектометрия.</li>
</ol>

Рентгеновская Дифрактометрия

Курс «Рентгеновская дифрактометрия» обучает основам рентгеновской дифракции, методам анализа и работе с дифрактометрами. Программа включает теорию, практику и аттестацию (40 часов). По итогам выдается удостоверение.

Рентгеновская дифрактометрия

<p>Дополнительная профессиональная программа учебного курса повышения квалификации &laquo;Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ&raquo; направлена на обучение основам растровой электронной микроскопии и практическим навыкам работы на растровых электронных микроскопах производства JEOL.</p>
<h2>Цель обучения</h2>
<p>Обучить основам растровой электронной микроскопии и практическим навыкам работы на растровых электронных микроскопах производства JEOL.</p>
<h2>Приобретаемые знания и умения</h2>
<p><strong>знания:</strong></p>
<ul>
<li>основы теории взаимодействия электронов с веществом; устройства растрового электронного микроскопа;</li>
<li>основы теории формирования изображения в растровом электронном микроскопе;</li>
<li>основы теории рентгеноспектрального анализа в растровой электронной микроскопии;</li>
<li>современные методические возможности растровой электронной микроскопии;</li>
<li>современные методы пробоподготовки для растровой электронной микроскопии;</li>
<li>основы структурного анализа в растровой электронной микроскопии.</li>
</ul>
<p><strong>умения:</strong></p>
<ul>
<li>основные приемы управления сканирующим электронном микроскопом;</li>
<li>получение изображения образца с использованием различных детекторов;</li>
<li>работа в высоковакуумном и низковакуумном режиме;</li>
<li>базовое техническое обслуживание растрового электронного микроскопа;</li>
<li>работа в современных программных пакетах управления и рентгеноспектрального анализа;</li>
<li>использования энерго-дисперсионной спектроскопии для изучения химического состава образцов;</li>
<li>интерпретация рентгеновских спектров.</li>
</ul>
<h2>Объем дисциплины и виды учебной работы</h2>
<p>Объем программы составляет 40 академических часов, из которых 36 часов составляют аудиторные учебные занятия (18 часов лекционного типа и 18 часов практического типа) и 4 часа итоговая аттестация.</p>
<h2>Содержание лекционного курса</h2>
<ol>
<li>Общая информация о растровой электронной микроскопии (РЭМ)
<ul>
<li>1.1. Введение электронную микроскопию. История развития. Типы сигналов в растровом электронном микроскопе. Методические возможности растровых электронных микроскопов: вторичные электроны, обратно-рассеянные электроны, катодолюминесценция, рентгеновское изображение, акустические измерения, работа с ячейками с заданной средой. Структурный анализ в растровом электронном микроскопе. Химический анализ с помощью энерго-дисперсионной спектроскопии.</li>
<li>1.2. Колонна электронного микроскопа. Электронная пушка. Типы катодов: термоэлектронные, Шотки, полевая эмиссия. Параметры работы электронных пушек. Яркость. Срок эксплуатации. Электромагнитные линзы: конденсорная линза, объективная линза. Фокусное расстояние. Рабочее расстояние. Хроматические аберрации. Сферические аберрации. Астигматизм. Диафрагмы. Разрешение и размер электронного зонда.</li>
<li>1.3 Взаимодействия электронов с веществом. Упругое рассеяние электронов. Неупругое рассеяние электронов. Длина пробега электронов. Отраженные электроны: зависимость от атомного номера, энергии пучка, угла наклона. Вторичные электроны: влияние параметров пучка и образца. Рентгеновское излучение. Характеристическое рентгеновское излучение. Непрерывное рентгеновское излучение. Поглощение рентгеновских лучей. Рентгеновская флюоресценция.</li>
<li>1.4 Системы регистрации сигналов в растровом электронном микроскопе. Характеристики детекторов сигналов. Приставки для сканирующего электронного микроскопа. Сканирование электронным пучком. Сканирование вдоль линии. Сканирование по площади. Контраст. Интерпретация изображений.</li>
<li>1.5. Особенности работы с образцами из различных материалов. Пробоподготовка. Шлифование, полировка, ионное шлифование. Нанесение покрытий. Работа с неполированными образцами.</li>
</ul>
</li>
<li>Специальные методы в РЭМ
<ul>
<li>2.1. Генерация рентгеновского излучения. Энерго-дисперсионная спектроскопия. Устройство рентгеновского спектрометра с энергетической дисперсией.</li>
<li>2.2. Анализ в точке, анализ по площади. Построение карт распределения элементов в образце. Количественная оптимизация.</li>
<li>2.3 Дифракция обратно-рассеянных электронов. Генерация сигнала. Зависимость интенсивности сигнала от угла наклона образца.</li>
<li>2.4 Формирование дифракционных Кикучи картин. Закон Брэгга-Вульфа. Интерпретация дифракционных картин. Анализ в точке. Анализ по профилю. Анализ по площади.</li>
<li>3. Подготовка РЭМ и образцов</li>
<li>3.1. Обслуживание растрового электронного микроскопа. Использование РЭМ для исследования различных материалов.</li>
<li>3.2. Подготовка образов для изучения методами РЭМ.</li>
</ul>
</li>
</ol>
<h4>Перечень тем практических занятий</h4>
<ol>
<li>Структура растровых электронных микроскопов JEOL JSM IT500-LA и JEOL JSM 5610-lv. Запуск и остановка прибора. Установка и смена образца.</li>
<li>Описание пользовательского интерфейса микроскопа: архитектура программного обеспечения, возможности и функции</li>
<li>Настройка параметров изображения: выбор типа сигнала, величины ускоряющего напряжения, размера пятна, настройка яркости и контрастности, фокусировка. Навигация по образцу.</li>
<li>Программное обеспечение для проведения исследований и обработки результатов рентгеноспектрального анализа, проводимого с помощью приставок ЭДС.</li>
<li>Обслуживание растровых электронных микроскопов.</li>
<li>Работа с образцами заказчика.</li>
</ol>

Растровая Электронная Микроскопия И Рентгеновский Микроанализ

Курс «Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ» обучает основам РЭМ, методам анализа и работе с микроскопами JEOL. Программа включает теорию, практику и аттестацию (40 часов). По итогам выдается удостоверение.